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2SD1616A 参数 Datasheet PDF下载

2SD1616A图片预览
型号: 2SD1616A
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 341 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SD1616A的Datasheet PDF文件第2页  
2SD1616A
公司Bauelemente
1A , 120V
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
TO-92
A
B
D
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
功耗
分类h及
FE (1)
产品等级
范围
2SD1616A-L
135~270
2SD1616A-K
200~400
2SD1616A-U
300~600
E
C
F
G
H
J
:辐射源
-collector
: BASE
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
120
60
6
1
750
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 关电流
发射器切 - 关电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压*
基地发射极饱和电压*
基地发射极电压*
跃迁频率
集电极输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试: PW
350μs,
σ
2%.
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
t
on
t
S
t
F
分钟。
120
60
6
-
-
135
81
-
-
0.6
100
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.07
0.95
0.07
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
600
-
0.3
1.2
0.7
-
19
-
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 2毫安,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=100mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
=100mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CC
= 10V ,我
C
=100mA,
I
B1
=-I
B2
=10mA
V
V
V
兆赫
pF
μs
12 -APR- 2011版本A
第1页2