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    2SD1760 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1760图片预览
    型号： 2SD1760
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面硅晶体管 [NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 158 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD1760的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1760的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD1760
    公司Bauelemente
    3A ， 60V
    NPN外延平面硅晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    D- PACK （ TO- 252 ）
    低V
    CE （ SAT ）
    . V
    CE （ SAT ）
    = 0.5V （典型值）。 （我
    C
    /I
    B
    = 2A / 0.2A)
    补充2SB1184
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    2SD1760-P
    82~180
    2SD1760-Q
    120~270
    2SD1760-R
    180~390
    GE
    A
    B
    C
    D
    包装信息
    K
    HF
    包
    TO-252
    MPQ
    2.5K
    负责人尺寸
    13'寸
    M
    J
    N
    O
    P
    集热器
    
    REF 。
    
    BASE
    
    辐射源
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.4
    6.8
    5.20
    5.50
    2.20
    2.40
    0.45
    0.58
    6.8
    7.3
    2.40
    3.0
    5.40
    6.2
    0.8
    1.20
    REF 。
    J
    K
    M
    N
    O
    P
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.30 REF 。
    0.70
    0.90
    0.50
    1.1
    0.9
    1.6
    0
    0.15
    0.43
    0.58
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    评级
    60
    50
    5
    3
    1.5
    150
    -55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    OB
    分钟。
    60
    50
    5
    -
    -
    82
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    90
    40
    马克斯。
    -
    -
    -
    1
    1
    390
    1
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =500mA
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =200mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 500毫安， F = 30MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    规范的任何更改将不个别通知。
    28 -MAR - 2011版本A
    第1页3

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