2SD1898 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1898
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内容描述：	NPN硅外延平面晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 345 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SD1898

NPN硅

公司Bauelemente

符合RoHS产品

外延平面晶体管

描述

SOT-89

该2SD1898被设计用于切换应用程序。

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.4

4.6

4.05

4.25

1.50

1.70

1.30

1.50

2.40

2.60

0.89

1.20

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

3.00参考。

1.50 REF 。

0.40

0.52

1.40

1.60

0.35

0.41

5 Q TYP 。

0.70 REF 。

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

结温

储存温度

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

符号

TSTG

VCBO

VCEO

VEBO

（单脉冲Pw = 20毫秒）

评级

+150

-55 ~ +150

100

5.0

500

单位

特征

符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

VCE （ SAT ）

COB

在TA = 25 ：

分钟。

100

典型值。

100

马克斯。

400

390

兆赫

单位

IC=50uA

IC=1mA

IE=50uA

VCB=80V

VEB=4V

IC = 500毫安， IB = 20mA下

VCE = 3V ， IC = 500毫安

VCE=10V,IC=50mA,f=100MHZ

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1MHz的

测试条件

分类h及

秩

82-180

120-270

180-390

http://www.SeCoSGmbH.com

的说明书中的任何改变将不被通知个人

08月， 2007年修订版A

第1页2

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