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    2SD1949 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1949图片预览
    型号： 2SD1949
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 138 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD1949的Datasheet PDF文件第2页  
    2SD1949
    NPN硅
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    通用晶体管
    特点
    A
    SOT-323
    L
    3
    暗淡
    A
    B
    B·S
    2
    民
    1.800
    1.150
    0.800
    0.300
    1.200
    0.000
    0.100
    0.350
    0.590
    2.000
    0.280
    最大
    2.200
    1.350
    1.000
    0.400
    1.400
    0.100
    0.250
    0.500
    0.720
    2.400
    0.420
    *
    高的电流。 （我
    C
    =5A)
    *
    低饱和电压，通常为
    V
    CE
    （SAT） = 0.1V时我
    C
    / I
    B
    = 150毫安/ 15毫安
    V
    集热器
    3
    1
    BASE
    1
    顶视图
    C
    D
    G
    H
    G
    C
    D
    H
    K
    J
    J
    K
    L
    S
    V
    2
    辐射源
    单位：mm外形尺寸
    最大额定值*
    T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    参数
    价值
    50
    50
    5
    500
    200
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    除非
    TEST
    否则
    特定网络版）
    民
    50
    50
    5
    0.5
    0.5
    120
    390
    0.4
    250
    6.5
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，
    I
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 30 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =20mA
    F = 100 MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    记号
    Q
    120-270
    YQ
    R
    180-390
    YR
    http://www.SeCoSGmbH.com
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第1页4

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