2SD2150 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD2150
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内容描述：	NPN塑封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 280 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SD2150

公司Bauelemente

符合RoHS产品

的" - C"后缀指定卤素&无铅

NPN

塑料封装晶体管

SOT-89

特点

*优异的电流，以增益特性

*低集电极饱和电压，通常

CE （ SAT ）

= 0.5V （最大），因为我

=2A/0.1A

3.94~4.25

4.4~4.6

1.4~1.8

1.4~1.6

2.COLLECTOR

3.EMITTER

0.36~0.56

0.9~1.1

1.5Ref.

2.9~3.1

0.32~0.52

2.3~2.6

1.BASE

0.35~0.44

标记： CFQ ， CFR ， CFS

Dimensision在毫米波

在T绝对最大额定值

=25 C

符号

CBO

首席执行官

EBO

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温和存储温度

参数

价值

500

-55~+150

单位

英镑

*这些评价都限制vaules高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

电气特性环境温度Tamb = 25

除非另有说明

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

集电极饱和电压

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

（SAT）

民

120

典型值。

290

最大

0.1

0.5

560

单位

测试条件

=50µA,I

=1mA,I

=50µA,I

= 30V ，我

=5V,I

=2A,I

=100mA

= 2 V，I

=100mA

= 2 V，I

= 500毫安中，f = 100MHz的

= 10V ， F = 1MHz时，我

*金融时报

0.02.

MH ž

*脉冲

测试：吨

300µS,

分类

秩

范围

120~270

180~390

270~560

http://www.SeCoSGmbH.com

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01君2002年修订版A

第1页2

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