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    2SD2114 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2114图片预览
    型号： 2SD2114
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN塑封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 253 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD2114的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2114的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD2114
    公司Bauelemente
    0.5A ， 25V
    NPN塑封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特征
    高直流电流增益。
    高发射极 - 基极电压。 V
    EBO
    = 12V （最小值）
    A
    L
    3
    SOT-23
    3
    顶视图
    C B
    1
    2
    2
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SD2114-V
    820~1800
    BBV
    2SD2114-W
    1200~2700
    BBW
    F
    K
    1
    E
    D
    G
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.04
    2.10
    2.55
    1.20
    1.40
    0.89
    1.15
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    H
    J
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.09
    0.18
    0.45
    0.60
    0.08
    0.177
    0.6 REF 。
    0.89
    1.02
    集热器
    3
    1
    BASE
    2
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    25
    20
    12
    500
    250
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    抗性
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    R
    （上）
    分钟。
    25
    20
    12
    -
    -
    820
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    350
    8
    0.8
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.5
    0.5
    2700
    0.4
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 10V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =20mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 50mA时F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    in
    = 0.1V （ RMS） ，我
    B
    = 1mA时， F = 1KH
    z
    规范的任何更改将不个别通知。
    24月- 2011版本B
    第1页3

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