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A44 参数 Datasheet PDF下载

A44图片预览
型号: A44
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内容描述: NPN硅塑封装晶体管 [NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 310 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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A44
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN硅
塑料封装晶体管
TO-92
特点
*
高压
1
2
3
1 2
3
*高可靠性
1
最大额定值*
T
A
=25
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
价值
400
400
5
0.2
0.625
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
1.发射器
2
2. BASS
3
.
集热器
3
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE (1)
直流电流增益
H
FE(2)
H
FE(3)
H
FE(4)
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极电压sataration
过渡
频率
V
CE
(SAT)
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
除非
TEST
否则
特定网络版)
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
5
0.1
µA
µA
µA
条件
400
400
5
IC = 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1
毫安,
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=100µA,
V
CB
= 400 V,I
E
=0
V
CE
=400 V
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
-100毫安
V
CE
= 10V ,我
C
-50毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
=1mA
I
C
= 50 mA时,我
B
=5mA
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CE
= 20V ,我
C
=10mA
F = 30MHz的
50
80
70
60
80
300
0.2
0.3
0.75
V
V
V
兆赫
分类的hFE的
(1)
范围
http://www.SeCoSGmbH.com
A
80-100
B1
100-150
B2
150-200
C
200-300
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页3