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BAS70-04 参数 Datasheet PDF下载

BAS70-04图片预览
型号: BAS70-04
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内容描述: 表面贴装肖特基势垒二极管 [Surface Mount Schottky Barrier Diodes]
分类和应用: 二极管光电二极管IOT
文件页数/大小: 2 页 / 87 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号BAS70-04的Datasheet PDF文件第2页  
BAS70/-04/-05/-06
公司Bauelemente
表面贴装肖特基势垒二极管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-23
A
L
·
·
·
低导通电压
低正向电压 - 0.75V (最大值) @ I F = 10毫安
非常低电容 - 不到2.0pF @ 0V
对于高速开关应用中,电路保护
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
顶视图
B·S
机械数据
V
G
·
·
·
·
·
案例: SOT -23 ,模压塑料
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:见下面图表
重量: 0.008克(约)
安装位置:任意
1
2
3
J
K
J
D
H
K
L
S
V
单位:mm外形尺寸
3
3
3
3
1
2
1
2
1
2
1
2
BAS70标志: K73 , BE , 73
BAS70-04标志: K74 , 74
BAS70-05标志: K75 , 75
BAS70-06标志: K76 , 76
最大额定值
(T J = 150℃除非另有说明)
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作结存储温度范围
正向连续电流
单正向电流
t
v
10 m
符号
VR
PF
225
1.8
TJ , TSTG
I
FM
- 55 〜+ 150
70
100
mW
mW/5C
O
O
价值
70
单位
5C
O
mA
mA
I
FSM
电动
特征
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(IR = 10
µA)
总电容( VR = 0 V , F = 1.0兆赫)
反向漏电流( VR = 50 V )
( VR = 70 V)
正向电压( IF = 1.0 MADC )
正向电压( IF = 10 MADC )
正向电压( IF = 15 MADC )
符号
V( BR )R
CT
IR
VF
VF
VF
70
最大
2.0
0.1
10
410
750
1.0
单位
pF
μAdc
MVDC
MVDC
VDC
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
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