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BC637 参数 Datasheet PDF下载

BC637图片预览
型号: BC637
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内容描述: NPN型塑料封装晶体管 [NPN Type Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 116 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号BC637的Datasheet PDF文件第2页  
BC635 / BC637 / BC639
公司Bauelemente
NPN型
塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
TO-92
14.3
±0.2
4.5
±0.2
特征
高电流晶体管
4.55
±0.2
3.5
±0.2
0.46
+0.1
–0.1
(典型值1.27 。
)
0.43
+0.08
–0.07
1.25
–0.2
1 2 3
2.54
±0.1
+0.2
1 :发射器
2:
集热器
3:
BASE
最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
o
参数
集电极 - 发射极电压
BC635
BC637
BC639
集电极 - 基极电压
BC635
BC637
BC639
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
o
o
符号
V
首席执行官
45
60
80
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
W
o
V
CBO
45
60
100
V
EBO
I
C
P
C
T
J
,T
英镑
5
1
0.625
150, -65 ~ 150
C
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
直流电流增益
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
跃迁频率
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
BC635
BC637
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
B
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=5mA
V
CE
= 2V ,我
C
=150mA
BC635
BC637-10/BC639-10
BC637-16/BC639-16
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安, F = 50MHz的
BC639
45
60
80
0.1
0.1
25
40
63
100
25
250
160
250
0.5
1
100
V
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
分类h及
FE(2)
范围
BC635
40-250
BC637-10 , BC639-10
63-160
BC637-16 , BC639-16
100-250
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2