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    BC807-40W 参数 Datasheet PDF下载

    BC807-40W图片预览
    型号： BC807-40W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulate Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管IOT
    文件页数/大小： 3 页 / 198 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号BC807-40W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC807-40W的Datasheet PDF文件第3页  
    BC807-16W ， -25W ， -40W
    公司Bauelemente
    -500毫安， -50 V
    PNP塑料封装晶体管
    特点
    非常适合自动插入
    外延平面片建设
    补充BC817W
    记号
    16W ： 5A ; 25W ： 5B ; 40W ： 5C
    包装尺寸
    REF 。
    A
    A1
    A2
    D
    E
    HE
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.80
    1.10
    0
    0.10
    0.80
    1.00
    1.80
    2.20
    1.15
    1.35
    1.80
    2.40
    REF 。
    L1
    L
    b
    c
    e
    Q1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.42参考。
    0.15
    0.35
    0.25
    0.40
    0.10
    0.25
    0.65参考。
    0.15 BSC 。
    绝对最大额定值在Ta = 25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Currrent
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -50
    -45
    -5
    500
    200
    +150, -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    特性在TA = 25℃
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE(1)
    分钟。
    -50
    -45
    -5
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.2
    -0.1
    -0.7
    -1.2
    250
    400
    600
    -
    -
    10
    单位
    V
    V
    V
    uA
    uA
    uA
    V
    V
    I
    C
    = -10微安，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -1 UA，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -20V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    = 0
    测试条件
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50毫安
    V
    CE
    = -1 V，I
    C
    = -500毫安
    V
    CE
    = -1 V，I
    C
    = -100毫安
    V
    CE
    = -1 V，I
    C
    = -500毫安
    807-16W
    807-25W
    807-40W
    100
    160
    250
    40
    80
    -
    h
    FE(2)
    fT
    C
    OB
    兆赫
    pF
    V
    CE
    = -5 V，I
    C
    = -10毫安， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    01月， 2002年修订版A
    第1页3

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