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BC817-25 参数 Datasheet PDF下载

BC817-25图片预览
型号: BC817-25
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内容描述: NPN晶体管 [NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 352 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第2页  
公司Bauelemente
BC817-16
BC817-25
NPN晶体管
BC817-40
符合RoHS产品
特点
n
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
n
n
n
n
n
n
n
功耗
P
厘米:
300毫瓦(环境温度Tamb = 25℃ )
集电极电流
I
厘米:
500毫安
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 30 V
工作和结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜 + 150℃
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
o
o
o
3
1
2
A
L
B·S
集热器
暗淡
A
B
C
D
G
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
3
1
BASE
3
2
辐射源
2
H
J
K
L
S
顶视图
1
V
G
C
D
H
K
J
V
单位:mm外形尺寸
电气特性(环境温度Tamb = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极电压&饱和
电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
&放大器;
V
BE ( SAT )
TEST
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
o
IC 。
100
μA ,我
E
=0
IC 。
10
妈,我
B
=0
I
E
=
1
μA ,我
C
=0
V
CB
=
45
V,I
E
=0
V
EB
=
4
V,I
C
=0
V
CE
=
1
V,I
C
=
100
mA
V
CE
=
1
V,I
C
=
500
mA
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
V
CE
=
1
V,I
C
=
500
mA
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
10
毫安, F =
100
兆赫
V
CB
=
10
V,F =
1
兆赫
50
45
5
0.1
0.1
100
40
600
µA
µA
0.7
1.2
100
10
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
范围
记号
BC817-16
100-250
6A
BC817-25
160-400
6B
BC817-40
250-600
6C
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军, 2007年修订版
C
第1页
2