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    BC847PN 参数 Datasheet PDF下载

    BC847PN图片预览
    型号： BC847PN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 多芯片晶体管 [Multi-Chip Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 694 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号BC847PN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847PN的Datasheet PDF文件第3页  
    BC847PN
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    NPN - PNP硅
    多芯片晶体管
    SOT-363
    特征
    外延片建设
    两个内部分离NPN / PNP晶体管在一个封装
    功耗
    P
    CM
    ： 0.2 W（温度= 25°C ）。
    集电极电流
    I
    CM
    : 0.1A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    : 50/-50 V
    操作&存储结温
      
    T
    J
    , T
    英镑
    : -55˚C~+150˚C
    C
    1
    B
    2
    E
    2
    记号
    7P
      
    E
    1
    B
    1
    C
    2
    TR1的在Ta绝对最大额定值= 25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Currrent - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    价值
    50
    45
    6
    100
    200
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    TR1 （ NPN Transister ）在大的电特性= 25°C
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 1μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =2mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0.5mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    V
    BE（上）
    C
    ob
    f
    T
    NF
    分钟。
    50
    45
    6
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    15
    15
    200
    450
    0.25
    0.6
    0.7
    0.9
    0.58
    0.7
    0.72
    6.0
    100
    10
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    dB
    第1页3
    基射极饱和电压
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0.5mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V
    基射极电压
    集电极输出电容
    跃迁频率
    噪声系数
    10月20日 - 2009年版本C
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 10毫安中，f = 100MHz的
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 0.2毫安中，f = 1KHz的
    Rg=2KΩ,
    △f=200Hz

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