欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BCP53 参数 Datasheet PDF下载

BCP53图片预览
型号: BCP53
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅中功率晶体管 [PNP Silicon Medium Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 286 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号BCP53的Datasheet PDF文件第2页  
BCP53
公司Bauelemente
-1A , -100V
PNP硅中功率晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
集电极 - 发射极电压: V
首席执行官
= -80V
互补类型: BCP56 (NPN)
A
M
SOT-223
分类h及
FE (2)
产品等级
范围
BCP53-10
63~160
BCP53-16
100~250
4
顶视图
CB
1
2
3
K
E
L
D
包装信息
SOT-223
MPQ
2.5K
LeaderSize
13'寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
F
G
H
J
毫米
分钟。
马克斯。
6.20
6.70
6.70
7.30
3.30
3.70
1.42
1.90
4.50
4.70
0.60
0.82
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.10
-
-
0.25
0.35
-
-
2.30 REF 。
2.90
3.10
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
评级
-100
-80
-5
-1
1.5
150
单位
V
V
V
A
W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
1
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
h
FE
(3)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
分钟。
-100
-80
-5
马克斯。
单位
V
V
V
nA
测试条件
I
C
= -0.1mA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
= -2V ,我
C
= -5mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -150mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 100MHz的
-100
63
63
40
250
-0.5
-1
100
集电极 - 发射极饱和电压
1
基射极电压
1
跃迁频率
注意:
1.
V
V
兆赫
脉冲测试:脉冲宽度≦ 380us ,占空比≦ 2 % 。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
25 -JAN- 2011版本B
第1页2