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    BCW68 参数 Datasheet PDF下载

    BCW68图片预览
    型号： BCW68
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP塑封装晶体管 [PNP Plastic-Encapsulate Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 217 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号BCW68的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCW68的Datasheet PDF文件第3页  
    BCW68
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    PNP塑封装晶体管
    SOT-23
    A
    3
    3
    特点
    L
    补充BCW66 。
    集热器
    顶视图
    1
    2
    C B
    1
    2
    3
    1
    BASE
    K
    E
    D
    标记：
    BCW68F ： DF
    BCW68G ： DG
    BCW68H ： DH
    F
    G
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.70
    3.04
    2.10
    2.80
    1.20
    1.60
    0.89
    1.40
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    H
    J
    REF 。
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    2
    辐射源
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    -
    0.18
    0.40
    0.60
    0.08
    0.20
    0.6 REF 。
    0.85
    1.15
    最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -60
    -45
    -5
    -0.8
    0.33
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    h
    FE1
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    BCW68F
    BCW68G
    BCW68H
    BCW68F
    BCW68G
    BCW68H
    BCW68F
    BCW68G
    BCW68H
    BCW68F
    BCW68G
    BCW68H
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    OB
    C
    IB
    分钟。
    -60
    -45
    -5
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -45V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-0.1mA
    -0.02
    -0.02
    35
    50
    80
    75
    120
    180
    100
    160
    250
    35
    60
    100
    h
    FE2
    直流电流增益
    h
    FE3
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-10mA
    250
    400
    630
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-100mA
    h
    FE4
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    输出电容
    输入电容
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-500mA
    -0.3
    -0.7
    -1.25
    -2
    200
    6
    60
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    pF
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-50mA,f=20MHz
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    V
    EB
    =-0.5V,I
    E
    =0,f=1MHz
    10月27日2009年修订版A
    第1页3

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