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BD438 参数 Datasheet PDF下载

BD438图片预览
型号: BD438
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内容描述: 塑料封装晶体管 [Plastic Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 2 页 / 201 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号BD438的Datasheet PDF文件第2页  
BD438/BD440/BD442
公司Bauelemente
PNP型
塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
8.0
±0.2
2.0
±0.2
4.14
±0.1
11.0
±0.2
1
2
3
O2.8
±0.1
O
3.2
±0.1
特点
*放大器和开关应用
o
TO-126
3.2
±0.2
最大额定值* T
A
=25
C
除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BD438
BD440
BD442
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD438
BD440
BD442
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
价值
-45
-60
-80
-45
-60
-80
-5
-4
1.25
150
-55-150
V
A
W
4.55
±0.1
单位
V
1.4
±0.1
1.27
±0.1
15.3
±0.2
V
0.76
±0.1
2.28典型。
0.5
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
单位:毫米
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
V
( BR ) CBO
除非
TEST
否则
条件
特定网络版)
典型值
最大
单位
V
I
C
= -100μA ,我
E
=0
集电极 - 基极击穿电压
BD438
BD440
BD442
BD438
BD440
BD442
BD438
BD440
BD442
BD438
BD440
BD442
-45
-60
-80
-45
-60
-80
-5
-0.1
-1
30
20
15
85
40
40
25
15
-0.7
-0.8
-1.1
-1.5
3
V
V
兆赫
375
475
V
µA
µA
V
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
I
C
= -100mA ,我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -45V ,我
E
=0
V
CB
= -60V ,我
E
=0
V
CB
= -80V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
直流电流增益
h
FE(2)
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
BD438
BD440/BD442
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A
BD438
BD440
BD442
BD438
BD440/BD442
BD438
BD440/BD442
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
I
C
= -3A ,我
B
=-300mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A
V
CE
= -1V ,我
C
= -250mA , F = 1MHz的
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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