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    CZT5401 参数 Datasheet PDF下载

    CZT5401图片预览
    型号： CZT5401
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面晶体管 [Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 512 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号CZT5401的Datasheet PDF文件第2页  
    CZT5401
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    PNP晶体管
    外延平面晶体管
    SOT-223
    描述
    该CZT5401是专为一般
    目的要求高
    击穿电压。
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    5 4 0 1
    分钟。
    6.70
    2.90
    0.02
    0C
    0.60
    0.25
    马克斯。
    7.30
    3.10
    0.10
    10 C
    0.80
    0.35
    最大额定值* （T
    AMB
    = 25℃，除非另有规定）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流连续
    总功耗
    结温和存储温度
    参数
    价值
    -160
    -150
    -5
    -600
    1.5
    -55~-150
    o
    分钟。
    马克斯。
    13吨YP 。
    C
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    O
    I
    C
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    C
    电气特性
    环境温度Tamb = 25℃ unlessotherwise
    o
    特定网络版
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    1
    2
    3
    民
    -160
    -150
    -5
    _
    _
    典型值
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    最大
    _
    _
    _
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    _
    _
    _
    TEST
    条件
    IC = -100u A，I
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10u A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = -120V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    =-3V,I
    C
    =0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -1mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -50mA
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    = -1mA
    I
    C
    =-50mA,I
    B
    = -5mA
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    = -1mA
    I
    C
    =-50mA,I
    B
    = -5mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    = -10mA ，
    f =
    100MHz
    -50
    -50
    _
    50
    80
    50
    _
    _
    _
    _
    160
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    400
    _
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE
    （SAT）
    1
    V
    CE
    （SAT）
    2
    V
    BE
    （SAT）
    1
    V
    BE
    （SAT）
    2
    -200
    -500
    -1
    -1
    300
    6
    mV
    V
    兆赫
    pF
    f
    T
    COB
    100
    _
    集电极输出电容
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz时，我
    E
    =0
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    A
    N
    100-240
    C
    160-400
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    80-200
    http://www.SeCoSGmbH.com
    01君2002年修订版A
    第1页2

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