欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    CZT5551 参数 Datasheet PDF下载

    CZT5551图片预览
    型号： CZT5551
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面晶体管 [Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 2 页 / 559 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号CZT5551的Datasheet PDF文件第2页  
    CZT5551
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    NPN
    晶体管
    外延平面晶体管
    SOT-223
    描述
    该CZT5551是专为一般
    目的要求高
    击穿电压。
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    5
    5 5
    1
    分钟。
    6.70
    2.90
    0.02
    0C
    0.60
    0.25
    马克斯。
    7.30
    3.10
    0.10
    10 C
    0.80
    0.35
    最大额定值* （T
    AMB
    = 25℃，除非另有规定）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流连续
    总功耗
    结温和存储温度
    参数
    价值
    180
    160
    6
    600
    1.5
    -55~-150
    o
    分钟。
    马克斯。
    13吨YP 。
    C
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    O
    I
    C
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    C
    电气特性
    环境温度Tamb = 25℃ unlessotherwise
    o
    特定网络版
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    1
    2
    3
    民
    180
    160
    6
    _
    _
    典型值
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    最大
    _
    _
    _
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    _
    _
    _
    TEST
    条件
    IC = 100U A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10U A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 120V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 50毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1毫安
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1毫安
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    = 5毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 10毫安，
    f =
    100MHz
    50
    50
    _
    80
    80
    50
    _
    _
    _
    _
    160
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    400
    _
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE
    （SAT）
    1
    V
    CE
    （SAT）
    2
    V
    BE
    （SAT）
    1
    V
    BE
    （SAT）
    2
    0.15
    0.2
    1
    1
    300
    6
    V
    V
    兆赫
    pF
    f
    T
    COB
    100
    _
    集电极输出电容
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz时，我
    E
    =0
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    A
    N
    100-240
    C
    160-400
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    80-200
    http://www.SeCoSGmbH.com
    01军， 2004年修订版
    B
    第1页2

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6