DTA114EE / DTA114EUA / DTA114ECA /
DTA114ESA
公司Bauelemente
PNP数字晶体管（内置电阻）
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
内置的偏置电阻使能的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻（见等效电路） 。
偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离，允许正偏压
输入的。它们还具有的优点
几乎完全消除了寄生效应。
只有通/断条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
DTA114EE （ SOT- 523 ）
DTA114EUA （ SOT- 323 ）
等效电路
Addreviated符号： 14
DTA114ESA （TO- 92S ）
Addreviated符号： 14
DTA114ECA （ SOT -23 ）
Addreviated符号： 14
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结&储存温度
符号
E
限制（ DTA114E □ ）
UA
CA
SA
单位
V
V
mA
300
mW
℃
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
P
D
T
J
, T
英镑
150
-50
-40 ~ 10
-50
-100
200
150, -55~150
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/ R
1
f
T
分钟。
-
-3
-
-
-
30
7
0.8
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
10
1
250
马克斯。
-0.5
-
-0.3
-0.88
-0.5
-
13
1.2
-
单位
V
V
mA
A
KΩ
兆赫
测试条件
V
CC
= -5V ，我
O
= -100A
V
O
= -0.3V ，我
O
= -10mA
I
O
/I
I
= -10mA / -0.5mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
= -5mA
V
CE
= -10V ，我
E
= -5mA ， F =
100MHz
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01 -MAR - 2012版本B
第1页2
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
