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DTA114YE 参数 Datasheet PDF下载

DTA114YE图片预览
型号: DTA114YE
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内容描述: PNP数字晶体管 [PNP Digital Transistors]
分类和应用: 晶体数字晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 151 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号DTA114YE的Datasheet PDF文件第2页  
DTA114YE / DTA114YUA /
DTA114YSA / DTA114YCA
公司Bauelemente
PNP数字晶体管(内置电阻)
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
内置的偏置电阻使能的配置
不连接输入的逆变器电路
电阻(见等效电路) 。
只有通/断条件需要被设置
操作,使装置的设计容易。
偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,​​允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
几乎完全消除了寄生效应。
DTA114YE ( SOT- 523 )
:
In
:
GND
:
OUT
DTA114YUA ( SOT- 323 ) 
:
In
:
GND
:
OUT
等效电路
DTA114YSA (TO- 92S )
:
In
:
OUT
:
GND
DTA114YCA ( SOT -23 )
:
In
:
GND
:
OUT
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结&储存温度
符号
E
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)
P
C
T
J
, T
英镑
150
UA
评级
CA
-50
-40 ~ +6
-70
-100
200
150, -55~150
300
SA
单位
V
V
mA
mW
绝对最大额定值和电气特性在TA = 25℃
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/ R
1
f
T
分钟。
-
-1.4
-
-
-
68
7
3.7
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
10
4.7
250
马克斯。
-0.3
-
-0.3
-0.88
-0.5
-
13
5.7
-
单位
V
V
mA
A
K
兆赫
测试条件
V
CC
= -5V ,我
O
=-100μA
V
O
= -0.3V ,我
O
=-1mA
I
O
/I
I
=-5mA/-0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=-50V, V
I
=0
V
O
= -5V ,我
O
=-5mA
V
O
= -10V ,我
O
= 5毫安中,f = 100MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月7日至2009年版本B
第1页2