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DTA144TE 参数 Datasheet PDF下载

DTA144TE图片预览
型号: DTA144TE
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内容描述: PNP数字晶体管 [PNP Digital Transistors]
分类和应用: 晶体数字晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 148 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号DTA144TE的Datasheet PDF文件第2页  
DTA144TE / DTA144TUA / DTA144TCA /
DTA144TSA
公司Bauelemente
PNP数字晶体管(内置电阻)
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
内置的偏置电阻使能的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻(见等效电路) 。
偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,​​允许正偏压
输入的。它们还具有的优点
几乎完全消除了寄生效应。
只有通/断条件需要被设置
操作,使装置的设计容易。
DTA144TE ( SOT- 523 )
DTA144TUA ( SOT- 323 ) 
等效电路
Addreviated符号: 96
DTA144TSA (TO- 92S )
Addreviated符号: 96
DTA144TCA ( SOT -23 )
Addreviated符号: 96
在绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
结&储存温度
符号
E
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
150
UA
评级
CA
-50
-50
-5
-100
200
150, -55~150
300
SA
单位
V
V
V
mA
mW
在(T电气特性
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
输入电阻
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
R1
分钟。
-50
-50
-5
-
-
100
-
-
32.9
典型值。
-
-
-
-
-
300
-
250
47
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
600
-0.3
-
61.1
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -50A ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -50A ,我
C
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
= -1mA
V
兆赫
kΩ
I
C
= -5mA ,我
B
= -0.5mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -5mA ,
F = 100MHz的
规范的任何更改将不个别通知。
11 - 8 - 2010版A
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