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EMX1 参数 Datasheet PDF下载

EMX1图片预览
型号: EMX1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 512 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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EMX1
公司Bauelemente
0.15 W, 150毫安, 60 V
塑料封装
通用晶体管(双)
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
两个2SC2412K芯片采用SOT- 563封装。
安装可能与SOT- 563自动装配机器。
晶体管元件是独立的,从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
SOT-563
记号
.012(0.30)
.004(0.10)
.051(1.30)
.043(1.10)
.002(0.05)
.000(0.00)
X1
1
.067(1.70)
.059(1.50)
.022(0.55)
.018(0.45)
.011(0.27)
.007(0.17)
.067(1.70)
.059(1.50)
7
o
REF 。
.024(0.60)
.021(0.525)
等效电路
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
.006(0.16)
.004(0.09)
7
o
RE 。
尺寸以英寸(毫米)
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
60
50
7
0.15
0.15
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
分钟。
60
50
7
-
-
120
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
180
2.0
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
560
0.4
-
3.5
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 12V,我
C
= 2毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 12V,我
E
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月, 2005年修订版A
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