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    KTC3265 参数 Datasheet PDF下载

    KTC3265图片预览
    型号： KTC3265
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 0.8A ， 35V NPN塑料封装晶体管 [0.8A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 225 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号KTC3265的Datasheet PDF文件第2页  
    KTC3265
    公司Bauelemente
    0.8A ， 35V
    NPN塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特征
    高直流电流增益
    补充KTA1298
    A
    L
    3
    SOT-23
    3
    顶视图
    1
    2
    C B
    1
    2
    K
    E
    D
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    标识代码
    KTC3265-O
    100~200
    EO
    KTC3265-Y
    160~320
    EY
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    F
    G
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.04
    2.10
    2.55
    1.20
    1.40
    0.89
    1.15
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    H
    J
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.09
    0.18
    0.45
    0.60
    0.08
    0.177
    0.6 REF 。
    0.89
    1.02
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    负责人尺寸
    7寸
    集热器
    3
    1
    BASE
    2
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    35
    30
    5
    800
    200
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    35
    30
    5
    -
    -
    100
    -
    0.5
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    120
    13
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    320
    0.5
    0.8
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =20mA
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1V
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 10毫安中，f = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MH
    Z
    规范的任何更改将不个别通知。
    15月- 2011版本A
    第1页2

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