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MMBT4401 参数 Datasheet PDF下载

MMBT4401图片预览
型号: MMBT4401
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内容描述: 硅NPN开关晶体管 [NPN Silicon Switching Transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 601 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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MMBT4401
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN硅
开关晶体管
集热器
A
L
3
3
3
1
BASE
SOT-23
暗淡
A
1
2
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
1
顶视图
2
B·S
B
C
D
G
H
J
2
辐射源
V
G
C
D
H
K
J
K
L
S
V
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
符号
PD
价值
40
60
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
单位:mm外形尺寸
THE RMAL特性
特征
器件总功耗FR- 5局( 1 )
TA = 25°C
减免上述25℃
牛逼有源冰箱ř ES是tance ,J油膏到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
最大
300
1.8
RΘJA
PD
556
300
2.4
RΘJA
T J , TS TG
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/
C
o
o
C / W
mW
毫瓦/
C
o
o
C / W
o
C
器件标识
MMBT4401
= 2X
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(IC = 0.1 MADC ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 0.1 MADC , IC = 0)
基地截止电流
( VCE = 35 VDC , VEB = 0.4伏)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 35 VDC , VEB = 0.4伏)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= < 300
µs,
占空比= < 2.0 % 。
http://www.SeCoSGmbH.com
V
( BR ) CEO
V
( B R ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BEV
I
CEX
VDC
40
60
6.0
VDC
VDC
0.1
0.1
μAdc
μAdc
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军, 2004年修订版
B
第1页
5