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MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551图片预览
型号: MMBT5551
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 3 页 / 327 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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MMBT5551
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
通用晶体管
NPN硅
SOT-23
A
暗淡
L
B·S
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
A
B
C
D
G
H
J
K
J
2
特点
功耗
P
厘米:
集电极电流
I
CM
:
0.6 A
V
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 180
T
J
, T
英镑
: -55
0.3 W(环境温度Tamb = 25℃ )
D
o
3
1
顶视图
G
V
C
H
K
L
S
V
集热器
BASE
辐射源
单位:mm外形尺寸
工作和存储结温范围
+150
o
C
电气特性(环境温度Tamb = 25
o
C
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
除非另有规定编)
TEST
条件
180
160
6
0.1
0.1
80
80
30
0.5
1
80
V
V
兆赫
250
最大
单位
V
V
V
IC = 100
µ
A,I
E
=0
IC = 0.1毫安,我
B
=0
I
E
= 100
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 180V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安,
f=
100MHz
µ
A
µ
A
f
T
器件标识
MMBT5551 G1 =
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军, 2004年修订版
B
第1页
3