MMBT5401
公司Bauelemente
PNP硅
一般PurposeTransistor
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
非常适用于中等功率放大和开关
1
SOT-23
A
L
3
3
顶视图
C B
1
2
2
记号
2L
K
E
D
F
G
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.00
2.25
2.55
1.20
1.40
0.90
1.15
1.80
2.00
0.30
0.50
H
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.55 REF 。
0.08
0.15
0.5 REF 。
0.95典型。
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
符号等级
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
-150
-160
-5.0
-500
单位
V
V
V
mA
REF 。
G
H
J
K
L
热特性
参数
总功耗
热阻，结到环境
总功耗
热阻，结到环境
交界处，贮存温度
氧化铝基板，T
A
= 25°C
减免上述25℃
(2)
符号
T
A
= 25°C
减免上述25℃
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
评级
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 ~ +150
单位
mW
毫瓦/
℃
℃
/W
mW
毫瓦/
℃
℃
/W
℃
电气特性
测试条件
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基本特征
直流电流增益
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
C
= -1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= -100
μA,
I
E
= 0
I
E
= -10
μA,
I
C
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CES
分钟。
-150
-160
-5.0
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-
200
-
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
单位
V
V
V
nA
μA
V
CB
= -120 V，I
E
= 0
V
CB
= -120 V，I
E
= 0, T
A
= 100°C
I
C
= -1.0毫安，V
CE
= –5.0 V
I
C
= -10毫安，V
CE
= –5.0 V
I
C
= -50毫安，V
CE
= –5.0 V
I
C
= -10毫安，我
B
= -1.0毫安
I
C
= -50毫安，我
B
= -5.0毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= -1.0毫安
I
C
= -50毫安，我
B
= -5.0毫安
h
FE
80
100
50
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
电流增益 - 带宽积
输出电容
小信号电流增益
噪声系数
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= -10毫安，V
CE
= -10 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= -1.0毫安，V
CE
= -10 V ， F = 1.0千赫
f
T
C
敖包
h
FE
NF
注意：
100
-
50
-
-
6.0
200
8.0
兆赫
pF
-
dB
I
C
= –200
μA,
V
CE
= -5.0 V ，R
S
= 10
Ω,
F = 1.0千赫
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
01月， 2002年修订版A
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SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
