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    MPSA42 参数 Datasheet PDF下载

    MPSA42图片预览
    型号： MPSA42
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管IOT
    文件页数/大小： 3 页 / 112 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号MPSA42的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPSA42的Datasheet PDF文件第3页  
    MPSA42
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    NPN塑料封装晶体管
    特点
    高压NPN晶体管
    G
    H
    TO-92
    辐射源
    
    A
    J
    D
    B
    K
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    
    BASE
    
    集热器
    E
    C
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    热阻，结到Ambinet
    热阻，结到外壳
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    R
    θJA
    R
    θJC
    等级
    300
    300
    5
    0.5
    625
    150, -55~150
    200
    83.3
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    °C
    ° C /毫瓦
    ° C /毫瓦
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极电压
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    民
    300
    300
    5
    -
    -
    60
    80
    75
    -
    -
    50
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    0.25
    0.1
    -
    250
    -
    0.2
    0.9
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    = 0A
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    = 0A
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    = 0A
    V
    CB
    = 200 V，I
    E
    = 0 A
    V
    EB
    = 5 V，I
    C
    = 0毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =30mA
    V
    V
    兆赫
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 10毫安， F = 30MHz的
    分类h及
    FE(2)
    秩
    范围
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    A
    80-100
    B
    1
    100-150
    B
    2
    150-200
    C
    200-250
    规范的任何更改将不个别通知。
    02 -APR- 2010版本A
    第1页3

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