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PZT2907A 参数 Datasheet PDF下载

PZT2907A图片预览
型号: PZT2907A
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内容描述: 硅平面中功率晶体管 [Silicon Planar Medium Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管IOT
文件页数/大小: 2 页 / 292 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号PZT2907A的Datasheet PDF文件第2页  
PZT2907A
公司Bauelemente
PNP硅
硅平面中功率晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
SOT-223
该PZT2907A是专为通用放大器
和高速开关,中功率开关应用。
记号
集热器
2907A

B
C
E
=日期代码
BASE
REF 。
毫米
分钟。
马克斯。
6.30
6.70
6.70
7.30
3.30
3.70
1.42
1.90
4.60 REF 。
0.60
0.80
0.02
0.10
10
°
0
°
REF 。
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.02
0.10
1.50
2.00
0.25
0.35
0.85
1.05
2.30 REF 。
2.90
3.10
13典型。
辐射源
A
B
C
D
E
F
I
O
最大额定值
(T
A
=25
°C,
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
价值
-60
-60
-5
-600
1.5
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
W
ELECTRICALCHARACTERISTICS
(T
A
=25
°C
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家切 - 断电流
发射器切 - 关断电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CEX
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
f
T
C
OB
分钟。
-60
-60
-5
-
-
-
-
-
-
75
100
100
100
50
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.2
-0.5
-
-
-
-
-
180
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-10
-50
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
-
-
-
300
-
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
I
C
= -10uA
I
C
= -10mA
I
C
= -10uA
V
CB
= -50V
V
CE
= -30V, V
BE
= -0.5V
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -100微安
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -150mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -500mA
V
CB
= -20V ,我
C
= -50mA ,
F = 100 MHz的
V
CB
= -10 V , F = 1兆赫
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
380我们,占空比
2 %
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
5月31日2010年版本B
第1页2