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    PZT4401 参数 Datasheet PDF下载

    PZT4401图片预览
    型号： PZT4401
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面晶体管 [Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 717 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号PZT4401的Datasheet PDF文件第2页  
    PZT4401
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    NPN晶体管
    外延平面
    晶体管
    SOT-223
    描述
    该PZT4401是专为一般
    目的开关和放大器应用。
    特点
    *高功率耗散： 1500MW ，25
    o
    C
    *高直流电流增益： 100 〜 300 150mA时
    *为了配合PZT4403
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.70
    7.30
    2.90
    3.10
    0.02
    0.10
    0C
    10 C
    0.60
    0.80
    0.25
    0.35
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    13吨YP 。
    C
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    4 4 0 1
    绝对最大额定值
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    集电极 - 基极电压
    Ta=25
    C
    参数
    价值
    60
    40
    5
    600
    1.5
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    O
    o
    I
    C
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（连续）
    总功耗
    结温和存储温度
    o
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    C
    电气特性环境温度Tamb = 25
    C
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    集电极饱和电压
    符号
    BV
    CBO
    * BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CES
    *V
    CE
    (sat)1
    *V
    CE
    (sat)2
    *V
    BE
    (sat)1
    *V
    BE
    (sat)2
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    *h
    FE
    4
    *h
    FE
    5
    民
    60
    40
    5
    -
    -
    -
    -
    750
    20
    40
    80
    100
    40
    250
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    nA
    100
    400
    750
    950
    1.2
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    6.5
    测试条件
    I
    C
    = 100µA
    I
    C
    = 1毫安
    I
    E
    = 10µA
    V
    CE
    = 35V,V
    BE
    =0.4V
    I
    C
    =150mA,I
    B
    =15mA
    I
    C
    =500mA,I
    B
    =50mA
    I
    C
    =150mA,I
    B
    =15mA
    I
    C
    =500mA,I
    B
    =50mA
    V
    CE
    = 1 V，I
    C
    -0.1毫安
    V
    CE
    = 1 V，I
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 1 V，I
    C
    =150mA
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 20mA时， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 5 V ， F = 1MHz的
    *脉冲宽度
    ≦
    380
    µ
    S，占空比
    ≦
    2%
    mV
    mV
    mV
    V
    基地Satruation电压
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    fT
    C
    ob
    MH ž
    pF
    hFE4分类
    秩
    范围
    http://www.SeCoSGmbH.com
    Q
    100~210
    R
    190~300
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第1页2

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