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PZTA42图片预览
型号: PZTA42
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内容描述: 外延平面晶体管 [Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 556 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
PZTA42
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN晶体管
外延平面
晶体管
SOT-223
描述
该PZTA42是专为应用程序
一个视频输出来驱动彩色阴极射线管,或者作为
拨号电路电子电话。
A4 2
REF 。
A
C
D
E
I
H
o
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
0C
10 C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13吨YP 。
C
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
Ta=25
C
参数
价值
300
300
6
500
2
-55~+150
单位
V
V
V
mA
W
O
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温和存储温度
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
C
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
基本饱和电压
o
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
h
FE
1
h
FE
2
h
FE
3
fT
C
ob
300
300
6
-
-
-
-
25
40
40
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
100
100
500
900
-
-
-
-
3
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
I
C
=100µA
I
C
=1mA
I
E
=10µA
V
CB
=300V
V
EB
=6V
I
C
= 20 mA时,我
B
=2mA
I
C
= 20 mA时,我
B
=2mA
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V,I
C
=10mA
V
CE
= 10 V,I
C
= 30毫安
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
50
-
MH ž
pF
V
CE
= 20mV的,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 20 V , F = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
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