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    S8550 参数 Datasheet PDF下载

    S8550图片预览
    型号： S8550
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulate Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 197 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号S8550的Datasheet PDF文件第2页  
    S8550
    PNP硅
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    塑料封装晶体管
    特点
    免费为S8050
    集电极电流： IC = 0.5A
    的" - C"后缀指定卤素&无铅
    SOT-23
    3
    集热器
    BASE
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    G
    H
    J
    K
    L
    S
    V
    民
    2.800
    1.200
    0.890
    0.370
    1.780
    0.013
    0.085
    0.450
    0.890
    2.100
    0.450
    最大
    3.040
    1.400
    1.110
    0.500
    2.040
    0.100
    0.177
    0.600
    1.020
    2.500
    0.600
    1
    2
    辐射源
    A
    L
    3
    顶视图
    1
    2
    B·S
    标记： 2TY
    V
    G
    C
    D
    H
    K
    J
    单位：mm外形尺寸
    最大额定值（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    参数
    价值
    -40
    -25
    -5
    -0.5
    0.3
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    O
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    H
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    http://www.SeCoSGmbH.com
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    H
    FE(1)
    TEST
    条件
    民
    -40
    -25
    -5
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = -100
    μ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    =-100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    =-40 V ,
    V
    CB
    =-20V ,
    V
    EB
    = -3V ,
    V
    CE
    =-1V,
    V
    CE
    =-1V,
    I
    E
    =0
    I
    E
    =0
    I
    C
    =0
    I
    C
    = -50mA
    I
    C
    = -500mA
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    120
    50
    -0.6
    -1.2
    150
    350
    μ
    A
    μ
    A
    μ
    A
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    f
    T
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    =-6V,
    I
    C
    =
    -20mA
    V
    V
    兆赫
    f=
    30MHz
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2007年修订版A
    第1页
    2

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