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S9018 参数 Datasheet PDF下载

S9018图片预览
型号: S9018
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 210 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
通用晶体管
S9018
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
3
SOT-23
集热器
3
1
暗淡
A
B
C
D
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
功耗
P
CM
: 0.2 W
集电极电流
I
CM
: 0.05 A
集电极 - 基极电压
1
2
BASE
A
L
3
2
辐射源
G
H
J
K
L
S
V
V
( BR ) CBO
: 25 V
操作&存储结温
T
j
, T
英镑
: - 55 C ~ + 150 C
O
O
顶视图
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
单位:mm外形尺寸
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
除非另有规定编)
TEST
条件
25
18
4
0.1
0.1
0.1
70
190
0.5
1.4
V
V
典型值
最大
单位
V
V
V
IC = 100
µ
A,I
E
=0
IC = 0.1毫安,我
B
=0
I
E
=100
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
CE
= 15V ,我
B
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 5毫安
µ
A
µ
A
µ
A
跃迁频率
f
T
f=
400MHz
600
兆赫
器件标识
S9018 = J8
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军, 2004年修订版
B
第1页
1