TIP32 / TIP32C
公司Bauelemente
PNP塑封装晶体管
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
1
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
TIP32
TIP32C
TIP32
TIP32C
TIP32
TIP32C
TIP32
TIP32C
符号
V
（ BR ） CBO
分钟。
-40
-100
-40
-100
-5
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
-
-200
单位
V
测试条件
I
C
= -1mA ，我
E
=0
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
V
V
μA
I
C
= -30mA ，我
B
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
CE
= -30V ，我
B
=0
V
CE
= -60V ，我
B
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -4V ，我
C
= -1A
V
CE
= -4V ，我
C
= -3A
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
-
-
25
15
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-0.3
-1
-
75
-1.2
-1.8
-
mA
mA
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
注意事项：
1.脉冲测试： PW ≦ 300μS ，占空比≦ 2 ％ 。
V
V
兆赫
I
C
= -3A ，我
B
= -0.375A
V
CE
= -4V ，我
C
= -3A
V
CE
= -10V ，我
C
= -0.5A
特性曲线
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规范的任何更改将不个别通知。
11 -JAN- 2012版本B
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