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UMH9N 参数 Datasheet PDF下载

UMH9N图片预览
型号: UMH9N
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内容描述: NPN多芯片内置电阻晶体管 [NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 397 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号UMH9N的Datasheet PDF文件第2页  
UMH9N
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN多芯片
内置电阻晶体管
SOT-363
.055(1.40)
.047(1.20)
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
.053(1.35)
.045(1.15)
8
o
0
o
*
特点
*安装可能与3automatic安装
机。
*晶体管元件是独立的,
消除干扰。
*安装成本和面积可减少一半。
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
R
1
(5)
(6)
R1=10K
R2=47K
(2)
R
2
(1)
.018(0.46)
.010(0.26)
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
.043(1.10)
.035(0.90)
MARKING:H9
(4)
尺寸以英寸(毫米)
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)
Pd
Tj
TSTG
范围
50
-6~40
70
100
150(TOTAL)
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
68
7
3.7
10
4.7
250
13
5.7
兆赫
V
CE
= 10V ,我
E
=-5mA,f=100MHz
KΩ
1.4
0.3
0.88
0.5
分钟。
典型值
马克斯。
0.3
单位
V
V
mA
µA
条件
V
CC
= 5V ,我
O
=100μA
V
O
= 0.3V时,我
O
= 1毫安
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
= 5V ,我
O
=5mA
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006年修订版
B
第1页
2