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UMT1N图片预览
型号: UMT1N
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内容描述: -0.15A , -60V双PNP通用晶体管 [-0.15A , -60V Dual PNP General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 88 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
UMT1N
公司Bauelemente
-0.15A , -60V
双PNP通用晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
两2SA1037AK芯片封装。
安装可能与SOT- 363自动
安装机器。
晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
安装成本和面积可减少一半。
A
E
6
5
4
SOT-363
L
B
标记:
T1
包装信息
SOT-363
MPQ
3K
负责人尺寸
REF 。
F
DG
1
2
3
C
K
H
J
7寸
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.00
2.20
2.15
2.45
1.15
1.35
0.90
1.10
1.20
1.40
0.15
0.35
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.15
0.650典型。
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
价值
-60
-50
-6
-150
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
分钟。
-60
-50
-6
-
-
120
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
140
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
560
-0.5
-
5
单位
V
µA
µA
测试条件
I
C
= -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50μA ,我
C
=0
V
CB
= -60V ,我
E
=0
V
EB
= -6V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
V
CE
= -12V ,我
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
= -12V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
兆赫
pF
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
15月- 2011版本A
第1页1