UMZ1N
公司Bauelemente
0.15 W,
±
150毫安，
±
60 V
硅外延平面
电源管理（双晶体管）
SOT-363
A
E
L
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
2SA1037AK和2SC2412K在一个独立的包装。
晶体管元件的独立，消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
B
标记和等效电路
6
5
4
3
C
2
B
1
E
F
DG
K
C
H
J
Z1
TR2
1
2
3
TR1
REF 。
A
B
C
D
E
F
4 5
E B
6
C
毫米
分钟。
马克斯。
2.00
2.20
2.15
2.45
1.15
1.35
0.90
1.10
1.20
1.40
0.15
0.35
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.15
8°
0.650典型。
TR1绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
60
50
7
0.15
0.15
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
TR1 NPN电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
分钟。
60
50
7
-
-
120
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
180
2.0
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
560
0.4
-
3.5
单位
V
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 50μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 50μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 12V，我
C
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 12V，我
E
= 0中，f = 1MHz的
TR2绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-60
-50
-6
-0.15
0.15
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
TR2 PNP电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
分钟。
-60
-50
-6
-
-
120
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
140
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
560
-0.5
-
5
单位
V
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
EB
= -6V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
V
CE
= -12V ，我
C
= -2mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -12V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10月28日2009年修订版B
第1页4
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
