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2N5681 参数 Datasheet PDF下载

2N5681图片预览
型号: 2N5681
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 25 K
品牌: SEME-LAB [ SEME LAB ]
 浏览型号2N5681的Datasheet PDF文件第1页  
2N5681
2N5682
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
° C / W
° C / W
电气特性
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
CBO
收藏家切断电流
测试条件
I
E
= 0
为2N5681
为2N5682
V
BE
= -1.5
为2N5681
V
CE
= 100V
V
CE
= 120V
V
CB
= 100V
V
CB
= 120V
分钟。
典型值。
马克斯。
1
1
1
1
1
1
10
10
1
单位
µA
µA
I
CEV
收藏家切断电流
为2N5682
TCASE = 150℃
为2N5681
V
CE
= 100V
为2N5682
I
B
= 0
V
CE
= 120V
V
CE
= 70V
V
CE
= 80V
V
EB
= 4V
I
C
= -10mA
100
120
I
B
= 25毫安
I
B
= 50毫安
I
B
= 200毫安
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
V
CE
= 10V
V
CB
= 20V
V
CE
= 1.5V
40
5
30
mA
I
首席执行官
I
EBO
收藏家切断电流
发射器切断电流
为2N5681
为2N5682
I
C
= 0
I
B
= 0
为2N5681
为2N5682
I
C
= 250毫安
µA
V
CEO ( SUS) *
集电极发射极电压维持
0.6
1
2
1
150
V
V
CE (SAT) *
V
BE *
h
FE *
f
T
C
CBO
h
fe
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
Transistion频率
集电极电容基地
小信号电流增益
I
C
= 500毫安
I
C
= 1A
I
C
= 250毫安
I
C
= 250毫安
I
C
= 1A
I
C
= 100毫安
F = 10MHz时
I
E
= 0
F = 1MHz的
I
C
= 0.2A
F = 1kHz时
兆赫
50
pF
40
*脉冲测试吨
p
= 300
m
s ,
d
& LT ; 2 %
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
Prelim.3/00