欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N6438 参数 Datasheet PDF下载

2N6438图片预览
型号: 2N6438
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 大功率PNP硅晶体管 [HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网高功率电源
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: SEME-LAB [ SEME LAB ]
 浏览型号2N6438的Datasheet PDF文件第1页  
2N6436
2N6437
2N6438
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.25
° C / W
电气特性
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
CBO
I
EBO
收藏家切断电流
发射器切断电流
测试条件
V
CB
= 100V我
E
= 0
V
CB
= 120V我
E
= 0
V
CB
= 140V我
E
= 0
V
EB
= 6V
V
CE
= 90V
V
CE
= 110V
V
CE
= 130V
V
CE
= 40V我
B
= 0
I
C
= 0
2N6436
2N6436
2N6437
2N6438
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
10
10
10
100
10
1.0
10
1.0
10
1.0
50
50
50
µA
µA
µA
mA
µA
mA
µA
mA
µA
V
BE (关闭)
= -1.5V牛逼
C
= 150°C
I
CEX
收藏家切断电流
2N6437
V
BE (关闭)
= -1.5V牛逼
C
= 150°C
2N6436
V
BE (关闭)
= -1.5V牛逼
C
= 150°C
2N6436
2N6437
2N6438
2N6436
I
首席执行官
收藏家切断电流
V
CE
= 50V我
B
= 0
V
CE
= 60V我
B
= 0.
80
100
120
30
20
12
1.0
1.8
1.8
2.5
40
700
0.3
1.0
0.25
μs
兆赫
pF
V
120
V
V
( BR ) CEO *
集电极发射极击穿电压
I
C
= 50毫安
V
CE
=2.0V
I
B
= 0
2N6437
2N6438
I
C
= 0.5A
I
C
= 10A
I
C
= 25A
I
B
= 1.0A
I
B
= 2.5A
I
B
= 1.0AV
I
B
= 2.5A
V
CE
= 10V
f
TEST
= 10MHz时
V
CE
= 10V
F = 100KHz的
I
C
= 10A
I
C
= 10A
h
FE *
直流电流增益
V
CE
= 2.0V
V
CE
= 2.0V
I
C
= 10A
I
C
= 25A
I
C
= 10A
I
C
= 25A
I
C
= 1.0A
I
E
= 0A
V
CC
= 80V
V
CC
= 80V
V
CE (SAT) *
V
BE (SAT) *
f
T
C
ob
t
r
t
s
t
f
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
电流增益 - 带宽积
输出电容
上升时间
存储
下降时间
V
BE (OFF)的
= 6.0V我
B1
= 1.0A
V
BE (OFF)的
= 6.0V我
B1
= I
B2
=1.0A
*脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
文档编号3252
问题3