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2N6659 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6659
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内容描述: N沟道增强型MOS晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 22 K
品牌: SEME-LAB [ SEME LAB ]
 浏览型号2N6659的Datasheet PDF文件第2页  
2N6659
机械数据
尺寸mm (英寸)
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
N沟道
增强型
MOS晶体管
特点
•开关稳压器
•转换器
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
•电机驱动器
2.54
(0.100)
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
45˚
TO- 39金属封装
仰视图
PIN 1 - 源
3脚 - 漏
2脚 - 门
案例 - 漏
绝对最大额定值
(T
= 25 ° C除非另有说明)
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
j
T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流
漏电流
漏电流脉冲*
功耗
功耗
存储温度范围
焊接温度(
1
/
16
“从案例10秒。 )
@ T
= 25°C
@ T
= 100°C
@ T
= 25°C
@ T
= 100°C
35V
±20V
1.4A
1A
3A
6.25W
2.5W
-55 ℃〜150℃
-55 ℃〜150℃
300°C
工作结温范围
*脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
预赛。 4/00