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2N6845 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6845
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内容描述: P沟道增强型高压功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小: 2 页 / 37 K
品牌: SEME-LAB [ SEME LAB ]
 浏览型号2N6845的Datasheet PDF文件第2页  
2N6845
IRFF9120
机械数据
尺寸mm (英寸)
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
P- CHANNEL
增强型
高压
功率MOSFET
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
V
DSS
I
D(续)
R
DS ( ON)
2.54
(0.100)
-100V
-4.0A
0.60Ω
特点
•密封TO -39金属
•简单的驱动要求
•轻
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
3
45°
•筛选选项可用
3脚 - 漏
TO- 39 ( TO- 205AF )金属封装
PIN1 - 来源
2脚 - 门
绝对最大额定值
(T
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
R
θJC
笔记
1 )重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
= 25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
包安装面温度( 5秒)
热阻结到外壳
(V
GS
= 0 , T
= 25°C)
(V
GS
= 0 , T
= 100°C)
±20V
-4.0A
-2.6A
-16A
20 W
0.16 W / ℃,
-55 ℃〜150℃
300°C
6.25°C/W
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
文档编号5748
问题2