IRF350
2N6768
机械数据
尺寸mm （英寸）
39.95 (1.573)
马克斯。
30.40 (1.197)
30.15 (1.187)
17.15 (0.675)
16.64 (0.655)
N沟道
功率MOSFET
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
•重复性雪崩额定值
•动态的dv / dt额定值
1
20.32 (0.800)
18.80 (0.740)
DIA 。
7.87 (0.310)
6.99 (0.275)
1.78 (0.070)
1.52 (0.060)
11.18 (0.440)
10.67 (0.420)
26.67 (1.050)
马克斯。
4.09 (0.161)
3.84 (0.151)
DIA 。
2 plc的。
2
400V
14A
Ω
0.300Ω
• HERMETICALL密封
•简单的驱动要求
•易于并联的
1.09 (0.043)
0.97 (0.038)
DIA 。
2 plc的。
TO-3 （TO- 204AA ）金属包
PIN 1 - 源
2脚 - 门
案例 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
1
峰值二极管恢复
4
工作和存储温度范围
(V
GS
= 0 , T
例
= 25°C)
(V
GS
= 0 , T
例
= 100°C)
±20V
14A
9.0A
56A
150W
1.2W/°C
11.3mJ
14A
15mJ
4.0V/ns
-55到+ 150°C
笔记
1 ）脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
3 ） VDD = 50V ，峰值IL = 14A ，开始TJ = 25°C
4 ） ISD
≤
图14A中， di / dt的
≤
145A / μs的， VDD
≤
400V ， TJ
≤
150 ° C，建议RG = 2.35Ω
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
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12.07 (0.475)
11.30 (0.445)
文档编号6252
第1期
SEME-LAB [ SEME LAB ]
