IRF460
TO- 3 （ TO- 204AA ）封装外形。
尺寸mm （英寸）
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
N沟道
增强型
高压
功率MOSFET
22.23
(0.875)
马克斯。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
1
2
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
500V
21A
Ω
0.27Ω
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
引脚1 - 门
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
2脚 - 来源
案例 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅 - 源电压
总功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063 “从案例10秒。
500
21
84
±20
300
2.4
-55到150
300
V
A
A
V
W
W / ℃，
°C
静电额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0V)
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
2
漏极 - 源极导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 13A
V
GS
= 10V ，我
D
= 21A
2
21
0.27
0.31
分钟。
500
典型值。
MAX 。 UNIT
V
25
250
±100
4
µA
nA
V
A
Ω
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380μS ，占空比< 2 ％
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预赛。九十八分之一十一
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