P沟道
功率MOSFET
IRFF9130 / 2N6849
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MOSFET晶体管在一个密封的金属TO- 205AF套餐
单脉冲雪崩能量额定
专为开关，电源供应器，
电机控制和放大器的应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
VDS
VDG
VGS
ID
ID
IDM
PD
EAS
TJ
TSTG
符号
R
θJC
R
θJA
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)
在总功率耗散
RGS = 20K
TC = 25°C
TC = 100℃
TC = 25°C
减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
(2)(4)
结温范围
存储温度范围
-100V
-100V
±20V
-6.5A
-4.1A
-25A
25W
0.2W/°C
500mJ
-55到+ 150°C
-55到+ 150°C
热性能
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
5
175
单位
° C / W
° C / W
内部封装电感
符号
LS + LD
参数
总电感
典型值。
7
单位
nH
笔记
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
（ 2 ） @VDD = -25V ，开始TJ = 25 ° C，L
=
17.25mH ，峰值IL = -6.5A ， VGS = -10V
(3)
(4)
脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
通过设计只是，不是生产测试。
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
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问题2
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