2N7336
IRFG6110
机械数据
尺寸mm （英寸）
14 LEAD双列直插式QUAD
ñ & P沟道
功率MOSFET
BV
DSS
8
19.507 ± 0.432
(0.768 ± 0.017)
2.134
(0.084)
0.457 ± 0.102
(0.018 ± 0.004)
±100V
N沟道
P沟道
9.525 ± 0.635
(0.375 ± 0.025)
6.426 ± 0.305
(0.253 ± 0.012)
14
ID
（续）
RDS
（上）
特点
1A
Ω
0.7Ω
-0.75A
Ω
1.4Ω
1
7
•额定雪崩能量
1.422 ± 0.102
(0.056 ± 0.004)
2.54
(0.100)
•密封
•动态的dv / dt额定值
•简单的驱动要求
•自动插入
N沟道P沟道N沟道P沟道
1漏1
2源1
3门1
5门2
6源2
7漏2
8漏3
9—Source3
10门3
12门4
13源4
14漏4
•简单的驱动要求
•易于并联的
• 2 N- CHANNEL / 2 P- CHANNEL
共同封装HEXFETS
P沟道
±20V
-0.75A
-0.5A
-3A
1.4W
0.011W/°C
75mJ
-5.5V/ns
-55 ℃〜150℃
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJCA
栅 - 源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ，T
例
= 25°C)
连续漏电流
(V
GS
= 10V ，T
例
= 100°C)
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
±20V
1.A
0.6A
4A
1.4W
0.011W/°C
75mJ
5.5V/ns
-55 ℃〜150℃
6.25°C/W
175°C/W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300µs,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 25V ，L
≥
112mH ，R
G
= 25Ω ，山顶我
L
= 1A ，起始物为
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
图1A中， di / dt的
≤
75A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150 ° C，建议ř
G
= 24Ω
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