N沟道
功率MOSFET
IRFM140 / 2N7218
•
低RDS（on ） MOSFET晶体管
在一个单独的密封金属封装
•
专为开关，电源供应器，
电机控制和放大器的应用
筛选选项可用
•
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
VDS
VGS
ID
ID
IDM
PD
EAS
dv / dt的
TJ
TSTG
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)
在总功率耗散
TC = 25°C
TC = 100℃
TC = 25°C
减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
(2)
峰值二极管恢复
(3)
结温范围
存储温度范围
100V
±20V
28A
20A
112A
100W
0.8W/°C
250mJ
5.5V/ns
-55到+ 150°C
-55到+ 150°C
热性能
符号
R
θJC
参数
热阻，结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
1.25
单位
° C / W
笔记
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
（2） @VDD = 25V ，L-
≥
470μH ，峰值IL = 28A ，开始TJ = 25°C
(3)
(4)
@ Isd的
≤
28A ， di / dt的
≤
170A / μs的， VDD
≤
BVDSS ， TJ
≤
150 ° C，建议RG = 9.1Ω
脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
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验证数据表是在下订单之前电流。
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文档编号8085
第1期
第1页3
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