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MHQ2222 参数 Datasheet PDF下载

MHQ2222图片预览
型号: MHQ2222
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内容描述: 四核双列直插式NPN硅晶体管 [Quad Dual-In-Line NPN Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: SEME-LAB [ SEME LAB ]
 浏览型号MHQ2222的Datasheet PDF文件第1页  
MHQ2222
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
V
( BR ) CEO
*
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
测试条件
I
C
= 10毫安
I
C
= 10µA
I
E
= 10µA
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 300毫安
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CB
= 50V
V
EB
= 3V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
I
B
= 15毫安
I
B
= 30毫安
I
B
= 15毫安
I
B
= 30毫安
分钟。典型值。马克斯。
40
60
5
50
50
75
100
30
0.4
1.6
1.3
2.5
单位
V
nA
正向电流传输比
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
V
动态特性
F
T
跃迁频率
I
C
= 20mA下
F = 100MHz的
I
E
= 0
F = 1.0MHz的
I
C
= 0
F = 1.0MHz的
V
CC
= 30V
I
C
= 150毫安
V
CC
= 30V
I
C
= 150毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
V
BE (OFF)的
= 0.5V
I
B1
= 15毫安
25
nS
250
V
EB
= 0.5V
V
CB
= 10V
V
CE
= 20V
200
兆赫
C
敖包
输出电容
8
pF
30
C
IBO
t
on
输入电容
开启时间
t
关闭
打开-O FF时间
*脉冲测试吨
p
= 300µs,
δ
& LT ; 2 %
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既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab
鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
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电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
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DOC 7964 , ISS 1