N沟道增强
模式MOSFET
VN10KE
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低RDS（ON ） ， VGS （ th）时，连续供墨系统和快速开关速度
密封TO- 52金属封装。
非常适用于电源电路，交换和
驱动器（继电器，电磁阀，指示灯等）的应用
筛选选项可用
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绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ
TSTG
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)
在总功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
TA = 25°C
TA = 100℃
TA = 25°C
减免上述25℃
60V
+15V, -0.3V
0.17A
0.11A
1.0A
312.5mW
2.5mW/°C
-55到+ 150°C
-55到+ 150°C
热性能
符号
R
θJA
参数
热阻，结到环境
分钟。
典型值。
马克斯。
400
单位
° C / W
笔记
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
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验证数据表是在下订单之前电流。
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文档编号8418
第1期
第1页3
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