欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2N2222A_02 参数 Datasheet PDF下载

    2N2222A_02图片预览
    型号： 2N2222A_02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN晶体管 [Silicon NPN Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 212 K
    品牌： SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N2222A_02的Datasheet PDF文件第1页  
    2N2222A
    硅NPN晶体管
    数据表
    电气特性
    在T规定的特性
    A
    = 25°C
    开关特性
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    发射基截止电流
    发射基截止电流
    基本特征
    参数
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    h
    FE5
    h
    FE6
    V
    BEsat1
    V
    BEsat2
    V
    CEsat1
    V
    CEsat2
    符号
    |h
    FE
    |
    h
    FE
    C
    敖包
    C
    IBO
    测试条件
    I
    C
    = 0.1毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 1.0毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10伏，
    T
    A
    = -55
    O
    C
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    测试条件
    V
    CE
    = 20伏，我
    C
    = 20毫安，
    F = 100 MHz的
    V
    CE
    = 10伏，我
    C
    = 1毫安，
    F = 1千赫
    V
    CB
    = 10伏，我
    E
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    V
    EB
    = 0.5伏特，我
    C
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO1
    I
    CBO2
    I
    CBO3
    I
    CES
    I
    EBO1
    I
    EBO2
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    = 75伏特
    V
    CB
    = 60伏
    V
    CB
    = 60伏，T
    A
    = 150
    O
    C
    V
    CE
    = 50伏
    V
    EB
    = 6伏
    V
    EB
    = 4伏
    民
    50
    75
    100
    100
    30
    35
    0.6
    典型值
    民
    50
    10
    10
    10
    50
    10
    10
    典型值
    最大
    单位
    伏
    µA
    nA
    µA
    nA
    µA
    nA
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    最大
    325
    300
    单位
    直流电流增益
    基射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    动态特性
    参数
    震级 - 共发射极，短
    电路正向电流传输比
    小信号短路正向
    电流传输比
    开路输出电容
    开路输入电容
    开关特性
    饱和的关断时间
    饱和导通时间
    1.2
    2.0
    0.3
    1.0
    伏
    伏
    民
    2.5
    50
    典型值
    最大
    单位
    8
    25
    pF
    pF
    t
    关闭
    t
    on
    300
    35
    ns
    ns
    Copyright 2002年
    牧师ñ
    Semicoa半导体公司
    麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
    第2页2
    www.SEMICOA.com

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6