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    2N3467 参数 Datasheet PDF下载

    2N3467图片预览
    型号： 2N3467
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 类型2N3467几何6706极性PNP [Type 2N3467 Geometry 6706 Polarity PNP]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 48 K
    品牌： SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3467的Datasheet PDF文件第1页  
    数据表号2N3467
    电气特性
    T
    C
    = 25℃ ，除非另有规定
    o
    开关特性
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10 µA
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10 μA ，脉冲
    集电极 - 基极截止电流
    V
    CB
    = 30 V
    V
    CB
    = 30 V ，T
    A
    = +150 C
    集电极 - 发射极截止电流
    V
    EB
    = 3.0 V, V
    CE
    = 30 V
    o
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO1
    I
    CBO2
    I
    CEX
    民
    40
    40
    5.0
    ---
    ---
    ---
    最大
    ---
    ---
    ---
    100
    50
    100
    单位
    V
    V
    V
    nA
    µA
    nA
    基本特征
    正向电流传输比
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 1.0 V（脉冲测试）
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 1.0 V（脉冲测试）
    I
    C
    = 1.0 A，V
    CE
    = 5 V （脉冲测试）
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 1.0 V（脉冲测试） ， T = -55℃
    o
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    CE(sat)3
    V
    BE(sat)1
    V
    BE(sat)2
    V
    BE(sat)3
    民
    40
    40
    40
    16
    ---
    ---
    ---
    ---
    0.8
    ---
    最大
    ---
    120
    ---
    ---
    0.35
    0.6
    1.2
    1.0
    1.2
    1.6
    单位
    ---
    ---
    ---
    ---
    V DC
    V DC
    V DC
    V DC
    V DC
    V DC
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15 MA（脉冲测试）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50 MA（脉冲测试）
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    = 100 MA（脉冲测试）
    基射极饱和电压
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15 MA（脉冲测试）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50 MA（脉冲测试）
    I
    C
    = 1.0 A，I
    B
    = 100 MA（脉冲测试）
    小信号特性
    外推单位增益频率
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 50 mA时， F = 100 MHz的
    开路输出电容
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0 ， 100千赫< ˚F < 1兆赫
    输入电容，输出开路
    V
    EB
    = 0.5 V，I
    C
    = 0 ， 100千赫< ˚F < 1兆赫
    符号
    f
    t
    C
    敖包
    C
    IBO
    民
    175
    ---
    ---
    最大
    500
    25
    100
    单位
    兆赫
    pF
    pF
    开关特性
    延迟时间
    I
    C
    = 500毫安，我
    B1
    = 50 mA时， V
    EB
    = 2 V
    上升时间
    I
    C
    = 500毫安，我
    B1
    = 50 mA时， V
    EB
    = 2 V
    贮存时间
    I
    C
    = 500毫安，我
    B1
    = I
    B2
    = 50毫安
    下降时间
    I
    C
    = 500毫安，我
    B1
    = I
    B2
    = 50毫安
    符号
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    民
    ---
    ---
    ---
    ---
    最大
    10
    30
    60
    30
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns

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