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    2N3507_07 参数 Datasheet PDF下载

    2N3507_07图片预览
    型号： 2N3507_07
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN晶体管 [Silicon NPN Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 86 K
    品牌： SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3507_07的Datasheet PDF文件第1页  
    2N3507
    硅NPN晶体管
    D上TA秒H E E吨
    电气特性
    在T规定的特性
    A
    = 25°C
    开关特性
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CEX1
    I
    CEX2
    测试条件
    I
    C
    = 100
    µA
    I
    C
    = 10毫安
    I
    E
    = 10
    µA
    V
    CE
    = 60伏特，V
    EB
    = 4伏
    V
    CE
    = 60伏特，V
    EB
    = 4伏，
    T
    A
    = 150°C
    民
    80
    50
    5
    1
    1.5
    典型值
    最大
    单位
    伏
    伏
    伏
    µA
    mA
    基本特征
    参数
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    h
    FE5
    V
    BEsat1
    V
    BEsat2
    V
    BEsat3
    V
    CEsat1
    V
    CEsat2
    V
    CEsat3
    测试条件
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 1伏特
    I
    C
    = 1.5 A，V
    CE
    - 2伏
    I
    C
    = 2.5 A，V
    CE
    = 3伏
    I
    C
    = 3.0 A，V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 1伏特
    T
    A
    = -55°C
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 1.5 A，I
    B
    = 150毫安
    I
    C
    = 2.5 A，I
    B
    = 250毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 1.5 A，I
    B
    = 150毫安
    I
    C
    = 2.5 A，I
    B
    = 250毫安
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    直流电流增益
    民
    35
    30
    25
    20
    17
    典型值
    最大
    175
    150
    单位
    基射极饱和电压
    0.8
    集电极 - 发射极饱和电压
    1.0
    1.3
    2.0
    0.5
    1.0
    1.5
    伏
    伏
    动态特性
    参数
    震级 - 共发射极，短
    电路正向电流传输比
    开路输出电容
    开路输入电容
    延迟时间
    上升时间
    符号
    |h
    FE
    |
    C
    敖包
    C
    IBO
    t
    d
    t
    r
    测试条件
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 100毫安，
    F = 20MHz的
    V
    CB
    = 10伏，我
    E
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    V
    EB
    = 3伏，我
    C
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    I
    C
    = 1.5 A，I
    B1
    = 150毫安
    I
    C
    = 1.5 A，I
    B1
    = 150毫安
    民
    3
    典型值
    最大
    15
    40
    300
    15
    30
    pF
    pF
    ns
    ns
    单位
    开关特性
    贮存时间
    下降时间
    t
    s
    t
    f
    I
    C
    = 1.5 A，I
    B1
    =I
    B2
    = 150毫安
    I
    C
    = 1.5 A，I
    B1
    =I
    B2
    = 150毫安
    55
    35
    ns
    ns
    ©2007
    英文内容
    Semicoa
    麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
    第2页2
    www.SEMICOA.com

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