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    2N3998_02 参数 Datasheet PDF下载

    2N3998_02图片预览
    型号： 2N3998_02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN晶体管 [Silicon NPN Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 170 K
    品牌： SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3998_02的Datasheet PDF文件第1页  
    2N3998
    硅NPN晶体管
    数据表
    电气特性
    在T规定的特性
    A
    = 25°C
    开关特性
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    发射基截止电流
    基本特征
    参数
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    V
    BEsat1
    V
    BEsat2
    V
    CEsat1
    V
    CEsat2
    符号
    |h
    FE
    |
    C
    敖包
    测试条件
    I
    C
    = 50 mA时， V
    CE
    - 2伏
    I
    C
    = 1 A，V
    CE
    - 2伏
    I
    C
    = 5 A，V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 1 A，V
    CE
    - 2伏
    T
    A
    = -55°C
    I
    C
    = 1 A，I
    B
    = 100毫安
    I
    C
    = 5 A，I
    B
    = 500毫安
    I
    C
    = 1 A，I
    B
    = 100毫安
    I
    C
    = 5 A，I
    B
    = 500毫安
    测试条件
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 1 A,
    F = 10MHz的
    V
    CB
    = 10伏，我
    E
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    测试条件
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    I
    首席执行官
    I
    CES1
    I
    CES1
    I
    EBO1
    I
    EBO2
    测试条件
    I
    C
    = 10
    µA
    I
    C
    = 50毫安
    V
    CE
    = 60伏
    V
    CE
    = 80伏
    V
    CE
    = 80伏，T
    A
    = 150°C
    V
    EB
    = 5伏
    V
    EB
    = 8伏
    民
    100
    80
    10
    200
    50
    200
    10
    典型值
    最大
    单位
    伏
    伏
    µA
    nA
    µA
    nA
    µA
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    直流电流增益
    民
    30
    40
    15
    10
    0.6
    典型值
    最大
    120
    单位
    基射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    动态特性
    参数
    震级 - 共发射极，短
    电路正向电流传输比
    开路输出电容
    开关特性
    参数
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    饱和导通时间
    饱和的关断时间
    1.2
    1.6
    0.25
    2
    典型值
    最大
    12
    150
    伏
    伏
    民
    3
    单位
    pF
    符号
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    t
    ON
    t
    关闭
    民
    典型值
    最大
    100
    240
    1.4
    300
    300
    1.5
    单位
    ns
    ns
    µs
    ns
    ns
    µs
    Copyright 2002年
    Rev. D的
    Semicoa半导体公司
    麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
    第2页2
    www.SEMICOA.com

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